مقاله ای که تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ در سال آینده وارد تولید انبوه می شود، اولین بار در بازیگرها – زندگی با فناوری نوشته شده است. – بازیگرها – زندگی با تکنولوژی – – https://bazigarha.com/
تولید انبوه تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ به سال آینده موکول شد. امسال سامسونگ روی تولید تراشه های نسل دوم 3 نانومتری تمرکز خواهد کرد.
در سال های گذشته، سامسونگ کاهش شدیدی در تولید تراشه های نیمه هادی وجود داشته است. در طول این مدت، هیچ شرکت بزرگ تولید تراشه (به غیر از بخش System LSI سامسونگ که تراشه‌های Exynos را تولید می‌کند) از فرآیند تولید 3 نانومتری Samsung Foundry و فرآیند 4 نانومتری نسل بعدی استفاده نکرده است. با این حال، این شرکت تسلیم نشده و به توسعه فرآیندهای پردازشی جدید از جمله فرآیند 2 نانومتری ادامه می‌دهد.
ادامه مطلب را در زیر بخوانید
بیشتر بخوانید:
- کوالکام تراشه اسنپدراگون ایکس پلاس خود را با سریع ترین NPU لپ تاپ دنیا معرفی کرد
- آیفون های اپل قبل از گوشی های گلکسی تراشه های 2 نانومتری دریافت می کنند
- سرمایه گذاری 1.66 میلیارد دلاری هواوی برای دستیابی به استقلال در توسعه تراشه
- دومین کارخانه تولید تراشه سامسونگ به زودی در ایالات متحده ساخته می شود
تراشه 2 نانومتری سامسونگ GAA
اخیرا گزارش جدیدی از Business Korea منتشر شده است که نشان می دهد Samsung Foundry در حال توسعه است. نسل بعدی فناوری Gate All Around یا GAA است و شما از آن در فرآیند 2 نانومتری خود استفاده خواهید کرد.
تولید انبوه این تراشه های نیمه هادی 2 نانومتری برای سال آینده برنامه ریزی شده است. بر اساس گزارش ها، سامسونگ در ارتباط با نسل سوم فناوری GAA خودش و نحوه استفاده از آن در تراشه های 2 نانومتری، در سمپوزیوم VLSI 2024 سخنرانی خواهد کرد. این نمایشگاه از 16 تا 20 ژوئن 2024 در هاوایی ایالات متحده برگزار می شود.
VLSI Expo یکی از سه کنفرانس بزرگ دنیا در زمینه فناوری نیمه هادی ها است که طی آن بهترین و برجسته ترین ایده ها در این زمینه مورد بحث و بررسی قرار می گیرد. دو کنفرانس مهم دیگر در مورد تراشه های نیمه هادی، نشست بین المللی دستگاه های الکترونیکی (IEDM) و کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC) هستند.
مزیت نسل جدید فناوری GAA نسبت به نسل های قبلی چیست؟
تکنولوژی GAA این نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که جریان جریان و راندمان توان را بهبود می بخشد. این محصول اولین بار با اولین نسل از فرآیند تولید 3 نانومتری سامسونگ معرفی شد.
با این حال، تا به امروز هیچ سازنده تراشه دیگری از جمله AMD، Apple، MediaTek، Nvidia و Qualcomm از آن در محصولات خود استفاده نکرده اند. انتظار می‌رود که بخش System LSI سامسونگ اولین شرکتی باشد که از فرآیند 3 نانومتری Samsung Foundry برای نسل بعدی تراشه‌های Exynos برای تلفن‌ها و ساعت‌های هوشمند استفاده می‌کند.
در مقایسه با تراشه‌های مبتنی بر فرآیند 5 نانومتری Samsung Foundry، تراشه‌های 3 نانومتری GAA دارای 16 درصد کاهش سطح، 23 درصد بهبود عملکرد و 45 درصد راندمان انرژی بالاتر هستند. تخمین زده می‌شود که فرآیند 3 نانومتری نسل دوم کاهش 35 درصدی در اندازه تراشه، 30 درصد بهبود عملکرد و 50 درصد راندمان انرژی بیشتر را ارائه دهد. نسل سوم GAA که در تراشه های 2 نانومتری استفاده خواهد شد، 50 درصد کاهش مساحت و 50 درصد عملکرد بالاتر خواهد داشت.
رقیب اصلی سامسونگ، TSMC، هنوز از فناوری Gate All Around در فرآیند تولید پیشرفته خود استفاده نکرده است. سامسونگ قصد دارد نسل دوم تراشه های GAA 3 نانومتری خود (مانند تراشه گلکسی S25) را در نیمه دوم سال جاری تولید انبوه کند. همچنین انتظار می‌رود اینتل و TSMC از فناوری GAA در فرآیندهای 2 نانومتری نسل بعدی خود استفاده کنند.
بیشتر بخوانید:
- غیر رسمی: سامسونگ از TPU گوگل در تراشه های هوش مصنوعی خود استفاده خواهد کرد
- دسترسی به تراشه های هوش مصنوعی ایالات متحده برای چین به طور فزاینده ای محدود می شود
- تراشه هوش مصنوعی سامسونگ با نام Mach-1 در سال 2025 ارائه می شود
- سود سامسونگ در سه ماهه اول سال 2024 با افزایش 933 درصدی به 4.8 میلیارد دلار رسید.
- Samsung Galaxy S25 ممکن است با هوش مصنوعی Gemini Nano 2 عرضه شود
نظر کاربران Tecrato در مورد تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ چیست؟ نظر خود را در قسمت نظرات با بازیگرها و اخبار فناوری با ما بمان.
منبع: sammobile
مقاله ای که تراشه 2 نانومتری GAA سامسونگ در سال آینده وارد تولید انبوه می شود، اولین بار در بازیگرها – زندگی با فناوری نوشته شده است. – بازیگرها – زندگی با تکنولوژی – – https://bazigarha.com/