TSMC اعلام کرد که تولید انبوه تراشه های 1.6 نانومتری را در سال آینده آغاز خواهد کرد
سرعتی که بزرگترین کارخانه های تولید تراشه برای بهبود سرعت، عملکرد و کارایی تراشه های گوشی های هوشمند در حال حرکت هستند واقعا شگفت انگیز است. تنها در سال جاری، TSMC، تولید کننده تراشه پیشرو در جهان، قصد دارد تولید انبوه تراشه های 2 نانومتری را آغاز کند.
TSMC: بهبود عملکرد و بهره وری انرژی با تراشه های 1.6 نانومتری در آینده نزدیک
این شرکت مستقر در تایوان اعلام کرده است که تولید انبوه تراشه های 1.6 نانومتری را در سال آینده آغاز خواهد کرد. با کاهش تعداد گره های فرآیند، اندازه ترانزیستورهای داخل این تراشه ها کوچکتر می شود و اجازه می دهد تا ترانزیستورهای بیشتری داخل آن قرار گیرند.
این مهم است زیرا ترانزیستورهای کوچکتر به این معنی است که تعداد بیشتری در یک فضای تراشه قرار می گیرند. این مشخصه که چگالی ترانزیستور نامیده می شود، معمولاً با کاهش تعداد فرآیند افزایش می یابد. تعداد ترانزیستورهای روی یک تراشه نیز بسیار مهم است، زیرا به طور معمول هر چه تعداد ترانزیستورها بیشتر باشد، تراشه از نظر قدرت و بازده انرژی عملکرد بهتری دارد. برای درک بهتر این پیشرفت ها، بیایید به کاهش خیره کننده اندازه فرآیند در سال های اخیر نگاه کنیم.
به عنوان مثال در سال 2019، سری آیفون 11 با پردازنده A13 Bionic معرفی شد که مبتنی بر فرآیند 7 نانومتری بود و دارای 8.5 میلیارد ترانزیستور بود. سپتامبر گذشته، آیفون 16 پرو مکس با پردازنده A18 Pro که بر اساس فرآیند 3 نانومتری ساخته شده بود، عرضه شد. اگرچه اپل تعداد ترانزیستورهای این تراشه را منتشر نکرده است، اما به احتمال زیاد تعداد ترانزیستورها از 20 میلیارد فراتر رفته است، زیرا پردازنده A17 Pro حدود 19 میلیارد ترانزیستور دارد.
TSMC وضعیت خوبی دارد و اخیراً گزارش داده است که درآمد سه ماهه چهارم آن با 37 درصد رشد سالانه به 26.88 میلیارد دلار رسیده است. به گفته این شرکت، پدیده ای به نام “فصلی بودن گوشی های هوشمند” باعث کاهش درآمد این شرکت در سه ماهه اول سال 2025 خواهد شد، اگرچه درآمد سالانه در سه ماهه اول سال 2025 نسبت به سال گذشته 34.7 درصد رشد خواهد کرد.
با تولید تراشه های 2 نانومتری، TSMC استفاده از ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) را آغاز خواهد کرد. این ترانزیستورها از نانوصفحات افقی و عمودی استفاده می کنند که به گیت اجازه می دهد هر چهار طرف کانال را بپوشاند و از نشت جریان جلوگیری کرده و جریان درایو را بهبود می بخشد.
نتیجه این فناوری تولید تراشه هایی با کارایی بالاتر و بازده انرژی بهتر خواهد بود. علاوه بر این، زمانی که تولید تراشه های 1.6 نانومتری آغاز شود، TSMC از فناوری Backside Power Delivery (BPD) استفاده خواهد کرد. در این فناوری منبع تغذیه از جلوی ویفر سیلیکونی به پشت منتقل می شود که فضای بیشتری برای ترانزیستورها در دسترس است.
برای نشان دادن پیشرفت این صنعت می توان به اولین آیفون اشاره کرد که در سال 2007 عرضه شد و از تراشه ای با فرآیند 90 نانومتری بهره می برد. آیفون 17 که قرار است در ماه سپتامبر عرضه شود، از پردازنده های A19 و A19 Pro استفاده می کند که با استفاده از فرآیند 3 نانومتری تولید می شوند. این روند حاکی از آن است که اپل می تواند اولین آیفون با استفاده از سیلیکون 2 نانومتری را در سری آیفون 18 معرفی کند که در سال 2026 عرضه می شود.
اما اولین آیفونی که از پردازنده 1.6 نانومتری استفاده خواهد کرد هنوز زمان دقیقی ندارد و باید منتظر ماند. در همین حال، TSMC اعلام کرده است که تراشه‌های 1.6 نانومتری نسبت به تراشه‌های 2 نانومتری 8 تا 10 درصد بهبود سرعت خواهند داشت، در حالی که مصرف انرژی مشابه خواهد بود.
بیشتر بخوانید: