مقاله معرفی اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E توسط سامسونگ اولین بار در وب سایت بازیگرها نوشته شد: زندگی با فناوری. – بازیگرها – زندگی با تکنولوژی – – https://bazigarha.com/
یک غول در صنعت تولید تراشه های حافظه نیمه هادی. اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E در دنیا و با پهنای باند تا 1280 گیگابایت بر ثانیه.
به عنوان یکی از بازیگران اصلی در صنعت تولید تراشه، سامسونگ اعلام کرده است که اولین تراشه DRAM HBM3E خود را توسعه داده است. این بالاترین ظرفیت تراشه حافظه HBM تا به امروز در جهان است و این شرکت ادعا می کند که 50 درصد ظرفیت و کارایی بیشتری نسبت به تراشه های حافظه HBM نسل قبلی ارائه می دهد.
ادامه مطلب را در زیر بخوانید
بیشتر بخوانید:
- حضور تکنو در رویداد MWC. از سگ رباتیک تا کنسول بازی AR
- Honor Magic 6 Pro با دوربین پریسکوپ 180 مگاپیکسلی در MWC 2024 معرفی شد
- سیستم تصویربرداری PolarAce Techno در نمایشگاه MWC 2024 رونمایی می شود
- لپ تاپ شفاف لنوو در نمایشگاه MWC 2024 معرفی می شود
اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E
طبق گفته سامسونگ، تراشه HBM3E 12H پهنای باند تا 1280 گیگابایت بر ثانیه و ظرفیت تا 36 گیگابایت را ارائه می دهد. این 50٪ بیشتر از نسل فعلی تراشه های HBM3 8H با هشت پشته است.
این تراشه از یک لایه تراکم غیر رسانا حرارتی پیشرفته (TC NCF) استفاده می کند که به محصولات 12 لایه اجازه می دهد تا ارتفاعی برابر با تراشه های 8 لایه HBM داشته باشند. این سازگاری را تسهیل می کند و انعطاف پذیری را برای سازندگان سیستم بهبود می بخشد. همچنین مزایای بیشتری را ارائه می دهد، از جمله کاهش بسته بندی قالب تراشه ای که با قالب نازک تر ارائه می شود.
سامسونگ می‌گوید تراشه‌های HBM3E این شرکت کوچک‌ترین فاصله تراشه را دارند: ۷ میکرومتر. این امر فضای خالی بین لایه های تراشه را حذف می کند و تراکم عمودی را تا 20 درصد در مقایسه با تراشه های 8 لایه HBM3 افزایش می دهد.
فناوری جدید TC NCF سامسونگ با استفاده از برجستگی هایی با اندازه های مختلف بین تراشه ها، گرمای داخل تراشه های HBM را بهبود می بخشد. برجستگی های کوچکتر در مناطق علامت گذاری استفاده می شود، در حالی که برجستگی های بزرگتر در مناطقی که نیاز به اتلاف گرما دارند استفاده می شود. سامسونگ مدعی است که این روش باعث بهبود کارایی محصول نیز می شود. این تراشه ها را می توان در سیستم هایی استفاده کرد که به ظرفیت حافظه بیشتری نیاز دارند.
شرکت هایی که از این تراشه های جدید استفاده می کنند می توانند به عملکرد و ظرفیت بالاتر و هزینه کل مالکیت کمتری در مراکز داده دست یابند. هنگامی که برای برنامه های کاربردی هوش مصنوعی استفاده می شود، متوسط سرعت آموزش هوش مصنوعی می تواند 34٪ سریعتر تکمیل شود، در حالی که استفاده همزمان از خدمات می تواند 11.5 برابر افزایش یابد.
سامسونگ می‌گوید که ارسال نمونه‌هایی از تراشه‌های HBM3E 12H خود را برای مشتریان آغاز کرده است و تولید انبوه آن در نیمه اول سال جاری آغاز خواهد شد.
Yongcheol Bae، معاون اجرایی برنامه‌ریزی محصول حافظه در Samsung Electronics، گفت: «ارائه‌دهندگان خدمات هوش مصنوعی صنعت به طور فزاینده‌ای به HBMهای با ظرفیت بالاتر نیاز دارند و محصول جدید HBM3E 12H ما برای رفع این نیاز طراحی شده است. این راه حل جدید حافظه بخشی از تلاش ما برای توسعه فناوری های اصلی برای HBM با پشته بالا و ارائه رهبری فناوری برای بازار HBM با ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی است.
بیشتر بخوانید:
- سیستم تشخیص چهره متالنز از سنسور ISOCELL سامسونگ استفاده می کند
- ششمین نسل از گوشی تاشو سامسونگ در ماه جولای معرفی می شود
- سامسونگ احتمالا برخی از تراشه های نسل پنجم اسنپدراگون 8 را تولید خواهد کرد
- ARM و سامسونگ برای تولید تراشه 2 نانومتری GAA همکاری می کنند
نظر شما در مورد اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E سامسونگ چیست؟ ایده های خود را با ما در میان بگذارید اخبار فناوری از Tikrato دنبال کنید.
.
منبع: sammobile
مقاله معرفی اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E توسط سامسونگ اولین بار در وب سایت بازیگرها نوشته شد: زندگی با فناوری. – بازیگرها – زندگی با تکنولوژی – – https://bazigarha.com/